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  • 禁化武視察

    禁化武視察
    公司主要生產(chǎn)用于合成高性能化合物半導(dǎo)體的高純材料,產(chǎn)品可廣泛用于生產(chǎn)移動通信、光纖通信、衛(wèi)星通信、光電器件、IT產(chǎn)業(yè)和軍用等領(lǐng)域。

  • 一種新元素的2D半導(dǎo)體材料:黑砷

    最近,黑磷(B-P)由于其高的載流子遷移率,大開/關(guān)比,其可調(diào)諧的能帶結(jié)構(gòu)吸引了人們越來越多的關(guān)注。與石墨烯相比,它被認(rèn)為是在光學(xué)電子設(shè)備中運(yùn)用的有希望的材料。但是,在大氣壓下B-P容易氧化,這樣將會妨礙其應(yīng)用在實(shí)際裝置中。為了改進(jìn)它的這一特性,研究發(fā)現(xiàn)合金化B-P是一個(gè)不錯(cuò)的選擇,比如黑色砷磷合金顯示了可調(diào)帶隙,優(yōu)異的光學(xué)性能和良好的環(huán)境穩(wěn)定性。另一種方式是尋找新的替代材料黑砷(B-As),作為B-P的表兄弟,它具有其類似的結(jié)構(gòu)有優(yōu)異的物理和化學(xué)性質(zhì)。成果簡介 最近,報(bào)道了一種新的元素二維材料:黑砷,將其應(yīng)用到場

  • 純度高達(dá)99.99999%的高純砷要怎么制備?

    在第二代半導(dǎo)體中,砷化鎵(GaAs)被認(rèn)為目前最成熟的化合物半導(dǎo)體材料之一,與硅(Si)相比,具有禁帶寬(1.42eV)、電子遷移率高(8500cm2/V·s)、電子飽和漂移速度高、能帶結(jié)構(gòu)為直接帶隙等特性,常用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等,其相關(guān)器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),因此受到通信領(lǐng)域和國防與航空航天領(lǐng)域的重視。 不過在自然界中并不存在砷化鎵晶體,它屬于人工晶體材料的一種,其多晶合成和單晶生長技術(shù)的實(shí)現(xiàn)都需要依賴于單質(zhì)砷、鎵的物理化學(xué)反應(yīng)。在這個(gè)過程中,原材料的

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