純度高達(dá)99.99999%的高純砷要怎么制備？

在第二代半導(dǎo)體中，砷化鎵（GaAs）被認(rèn)為目前最成熟的化合物半導(dǎo)體材料之一，與硅（Si）相比，具有禁帶寬（1.42eV）、電子遷移率高（8500cm2/V·s）、電子飽和漂移速度高、能帶結(jié)構(gòu)為直接帶隙等特性，常用來制作集成電路襯底、紅外探測(cè)器、γ光子探測(cè)器等，其相關(guān)器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，因此受到通信領(lǐng)域和國防與航空航天領(lǐng)域的重視。

不過在自然界中并不存在砷化鎵晶體，它屬于人工晶體材料的一種，其多晶合成和單晶生長(zhǎng)技術(shù)的實(shí)現(xiàn)都需要依賴于單質(zhì)砷、鎵的物理化學(xué)反應(yīng)。在這個(gè)過程中，原材料的純度越高，就越能顯示出材料的本征特性，材料的應(yīng)用價(jià)值也能更好地發(fā)揮出來，在半導(dǎo)體領(lǐng)域更是如此，目前用于制備半導(dǎo)體材料砷化鎵的單質(zhì)砷的純度多為99.9999%（6N）和99.99999%（7N）。

上一篇一種新元素的2D半導(dǎo)體材料：黑砷